國立臺灣師範大學機電工程學系楊啟榮2014-10-302014-10-302006-10-31http://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/20.500.12235/37033本研究計畫整合光輔助電化學蝕刻(Photo Assisted Electro-Chemical Etching, PAECE)與精密電鑄(Electroforming)技術，以開發高密度金屬垂直結構陣列之製程技術。利用改變光照強度與電流密度等實驗條件，以電化學蝕刻達到矽晶圓高密度微穿孔的目的，再利用精密電鑄技術進行穿孔之金屬導體填充，如此可實現高密度金屬垂直結構陣列。未來可應用於積體化探針陣列之製作，或利用晶圓內垂直導體而實現晶圓級堆疊封裝之目的。此技術開發有設備與製程成本低、可積體化生產、與半導體製程相容性高、批次生產與良率高等特點。