張秋男吳俊億Wu Chun Yi2019-09-042007-2-12019-09-042006http://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22G0069248009%22.&%22.id.&http://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/97942在本論文中，我們試著研發能降低成本、提高產能的奈米微影技術，我們稱之為奈米電鍍轉印微影技術。其構想為利用現有的製程技術，製作模仁與轉印基板，以硫酸鉀(K2SO4)水溶液為電鍍液，銅為鍍材，配合轉印的概念，將模仁上的圖案透過電鍍的方式轉印於轉印基板上，而電鍍轉印出的金屬圖案可當作遮罩，對轉印後的轉印基板進行蝕刻即可得到所需的圖案。目前在微米等級方面，已成功轉印出3微米的線寬，在奈米等級方面，在模仁有其缺陷的情況下，只能證明電鍍液在壓印時能充滿在深寬約為300與380奈米的結構上，且轉印出來的線寬無論是在奈米與微米等級皆與模仁相近。 本論文的主要內容，為奈米電鍍轉印微影技術的工作機制說明，並設計相關實驗來驗證我們提出的機制，針對實驗的結果做分析與討論，最後提出未來研究的方向。轉印微影術奈米轉印電鍍轉印