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Title: 新型高深寬比奈米孔洞陣列製作技術
Authors: 國立臺灣師範大學機電工程學系
楊啟榮
黃茂榕
湯杜翔
劉榮德
Issue Date: 25-Nov-2005
Abstract: 本研究結合奈米球微影以及光輔助電化學蝕刻兩項技術之優點,用於製作高深寬比的奈米孔洞陣列。實驗的結果証實利用旋轉塗佈搭配震盪塗佈的方式,可將奈米球規則地排列於矽基板上,並且定義出單層與雙層奈米等級的圖案。而在光輔助電化學蝕刻的實驗中,証實了在添加界面活性劑的作用下,蝕刻液的接觸角可降低至 15度,具有超親水性的特性,並大幅改善擴孔現像,使得奈米級的高深寬比孔洞能夠輕易的產生。當使用1 V的蝕刻電壓與HF 濃度2.5wt%的蝕刻液,經過12.5分鐘的蝕刻後,能夠產生高度6.2μm,直徑為90nm 的高深寬比之奈米級孔洞,而孔洞的深寬比約為68:1。
URI: http://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/77345300/36995
Other Identifiers: ntnulib_tp_E0403_02_032
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