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Title: 單晶矽非等向性濕式蝕刻之壓力輔助機制特性研究
Authors: 國立臺灣師範大學機電工程學系
楊啟榮
程金保
楊証皓
施建富
張峻銘
Issue Date: 25-Nov-2005
Abstract: 本研究之新型微機械式可變電容,具有製程簡單、生產成本低、良率高等特點,除了可取代電子式變容器外,其整套製程也能與標準積體電路製程相容,因此有能力達成將微機械式可變電容與其他電子電路整合,實現系統單晶片(system on a chip, SOC)的目標。本研究主要分為元件製程與訊號量測兩大部分:1.在元件製程上,成功地運用光阻犧牲層技術與犧牲層保護膜,製作出SU-8光阻之懸浮微結構。整個微機械式可變電容元件包括:下電極、光阻犧牲層、SU-8可動結構層與上電極,最後再將犧牲層移除,以完成元件製作。2.在訊號量測上,由電容電壓關係曲線得知,當頻率固定在2000 Hz時,此電容值變化是在外加偏壓為40伏特與無外加偏壓下的電容差值,則此元件具有0.3 pF的電容變化量。由史密斯圖得知,頻率從45 MHz至1.079 GHz的範圍內,此可變電容是電容性元件,其具有理想的品質因子,且等效電路為良好的開路。當頻率固定在1.079 GHz時,其輸入反射係數表示為S(1,1)=0.540/-176.102。
URI: http://rportal.lib.ntnu.edu.tw/handle/77345300/36993
Other Identifiers: ntnulib_tp_E0403_02_030
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