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dc.contributor蔡志申zh_TW
dc.contributor.author張新政zh_TW
dc.date.accessioned2019-09-05T02:18:01Z-
dc.date.available2007-8-21
dc.date.available2019-09-05T02:18:01Z-
dc.date.issued2007
dc.identifierGN0694410302
dc.identifier.urihttp://etds.lib.ntnu.edu.tw/cgi-bin/gs32/gsweb.cgi?o=dstdcdr&s=id=%22GN0694410302%22.&%22.id.&
dc.identifier.urihttp://rportal.lib.ntnu.edu.tw:80/handle/20.500.12235/102642-
dc.description.abstract本研究是在超高真空環境下使用蒸鍍方式成長Co、氧壓下鍍Co方式成長CoO,成長CoO/Co超薄雙層結構於Ge(100)與Si(111)上。以歐傑電子能譜儀與反射式高能量電子繞射儀進行表面組成分析,並以表面磁光柯爾效應儀進行室溫與以1 kOe外場冷卻下之磁性性質分析。在Co/Ge(100)上,要出現交換偏向效應需要10 ML的CoO層,而隨著CoO層厚度由10 ML增加到40 ML,阻隔溫度會由169 K增加到231 K。隨著CoO層厚度增加,CoO/Co/Ge(100)會出現環狀繞射圖形,代表更規則化。水平膜面方向的最大交換偏向場出現在25 ML CoO/ 25 ML Co/Ge(100)系統中,HE = 460 Oe,這比在CoO/Co/Ge(111)上所觀測到的小,且出現最大交換偏向場的厚度也較厚。CoO/Co/Si(111)也是有傾斜出膜面的異向性,且介面也會有化合,由於CoO層為多晶,導致交換偏向場會較小。Co/Ge(100)與Co/Si(111)都是磁化易軸接近水平膜面的方向,因此垂直膜面方向的矯頑磁力會叫水平膜面方向的大,導致在量測交換偏向效應時,垂直膜面方向因矯頑磁力超過本系統量測場(2 kOe)而無法的到可信的垂直膜面方向之交換偏向場。zh_TW
dc.description.sponsorship物理學系zh_TW
dc.language中文
dc.subject磁光柯爾效應zh_TW
dc.subject交換偏向效應zh_TW
dc.subject超高真空系統zh_TW
dc.subject鍺(100)zh_TW
dc.subject矽(111)zh_TW
dc.subject氧化鈷/鈷zh_TW
dc.subjectMOKEen_US
dc.subjectexchange biasen_US
dc.subjectUHVen_US
dc.subjectGe(100)en_US
dc.subjectSi(111)en_US
dc.subjectCoO/Coen_US
dc.titleCoO/Co超薄雙層結構在半導體基底上之磁性研究zh_TW
dc.titleMagnetic properties of ultrathin CoO/Co bilayers grown on semiconductor substratesen_US
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