光電工程研究所
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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。
本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像
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Item 一維光子晶體缺陷層的單向吸收分析(2020) 黃志喜; Huang, Chih-hsi理論上研究了在一維缺陷超導光子晶體材料裡高頻光波出現單向傳播性質。我們考慮用一種非對稱性的光子晶體其結構為(AB)ND(BA)M排列堆疊而成，其中A層材料為具有介電質的材料，B層材料為超導材料，D層為具有電介質材質的缺陷層，然而N、M為堆疊的數目。在本次研究中發現堆疊層數目不同時 (N ≠ M)該光子晶體結構會造成高頻光波出現單向性傳播性，單向傳播共振吸收頻率位置會隨著堆疊層數目(N和M)之間差距越大而增加。其中我們還研究了入射光波偏振角與單向傳播之間的關係，從此次的研究結果發現，當在改變入射光波的偏振方向的狀況下，單向傳播的吸收率幾乎與偏振方向是沒有直接關係地，因此我們提出的這個光子晶體結構技術可以用於設計出與入射光偏振無關的光學元件。 接下來我們還有從理論計算方式下，研究了一維具有缺陷且不對稱堆疊光子晶體結構上光波傳遞的性質，這次的光子晶體結構為 air /(AB)MG(BA)N/air，air/(AQ)MG(QA)N /air和air/(BQ)MG(QB)N/air，其光子晶體堆疊結構中的A層材料是用具有損耗的負介電係數材料，B層則是用了具有損耗地mu-negative material材料，而G層和Q層是用不同折射率的介電材料，另外該光子晶體的堆疊層數目M和N是不同的(M≠N)。此次的研究中我們注意到了在某些條件下其入射光譜會被吸收，導致傳遞光波的光子晶體有單向傳播特性。還有在這個負折射係數材料中，依造我們的計算結果顯示了有兩種單向吸收峰值，一種是會因缺陷層(G)厚度的改變而導致其鋒值頻率位置也隨著變化，另一種吸收峰值就不會隨著缺陷層的厚度改變而波峰頻率位置有所變化，這種的波峰頻率位置是固定在某些頻率位置上，另外這種固定波譜頻率位置的波峰數目會與正向或者反向傳播有所不同，當正向傳播時其波峰數目會是（M-1）個，然而如果是逆向傳播時波峰數目會是N-1個。特別的是當正向傳播與逆向傳播時固定波譜位置這個波峰數目相同為M − N − 1時，該光子晶體的單向傳播特性將消失。 另外一個研究是從理論上研究了改用材料含有n-InSb半導體層且用stage 3 triadic-Cantor-setphotonic crystal（S3 TCS PC）來討論其傳輸特性，依著半導體(n-InSb)介電常數具有可以將光波共振頻率傳輸響分成三個區域，其三個區域分別為兩個傳輸共振頻率遠高於半導體(n-InSb)介電常數的諧振頻率和另一個低於其材料共振諧振頻率的區域，其中半導體的介電常數幾乎是正常數。在光波進入stage 3 triadic-Cantor-setphotonic crystal（S3 TCS PC）結構中，其結構會將光波分成兩組不同共振頻率區域透射波譜，其為缺陷缺陷模式Np模式和非缺陷模式的Np-1模式，，其中一組波譜可以用堆疊層周期數變化而改變其缺陷模式(Np)的波峰數目，另外還可以改變入射光波的角度也會造成TE波和TM波光譜頻率位置的改變，此外還可以調整每一層的厚度來控制非缺陷層模式（Np–1）頻率響應的位置。但是要注意當入射波譜頻率落在5.1~6.2 THz大小區域時Np模式波峰強度對會損耗很大。Item 以半導體銻化銦研究光學負折射現象(2014) 曾義閔; Yi-Min Zeng負折射現象最早於1958年由蘇聯物理學家Veselago提出。Veselago提出了左手材料的概念，顛覆了物理學的傳統知識。左手材料從此成為近十餘年來物理學界熱門的研究話題。最近(2013年)，Fedorov 和 Nakajima研究得出使用非左手材料如金屬材質也可得到負折射現象，這篇研究對於不均勻波的敘述以及材料結構有更深一層的探討。本篇論文將金屬取代為半導體，使用InSb作為半導體材料。我們參考Sánchez 和 Halevi 於2003年發表的研究報告，當中對於InSb材料參數講述詳細。 基於先前的研究成果，我們根據真實實驗數據進行理論數據模擬，成功找出發生負折射現象的最佳條件。並且，對於參數間的相互影響也進行了詳盡的分析。半導體性質受三種參數影響：溫度、參雜濃度、入射波頻率。在此，利用Snell's law進行相關推導，找出折射角與材料參數之間的關係，此關係式讓我們判斷負折射現象的發生。接著，我們將半導體材料以及介電材料進行週期性排列，形成一維光子晶體。光子晶體有獨特的特性，除了半導體參數影響外，厚度比例也是影響的因素。我們設定光波沿x-z正向傳播，使用群速度作為判斷負折射現象發生條件。當x方向的群速度沿相反方向行進，可判斷負折射現象發生。 本論文架構如下：第一章講述InSb基本參數、不均勻波理論以及光子晶體概論等基本介紹；第二章講述本論文重點理論-負折射現象的基本概念；第三章推論出在不均勻介質中，負折射理論的關係式；第四章，進入本篇論文主要研究，分別闡述理論以及展現數值分析結果，詳盡的描述材料參數的相互關係；最後，在第五章，我們從半導體光子晶體基本理論出發，完整推導在光子晶體中，群速度的表達式，並且改變模擬的操作變因，多面向地分析負折射發生條件以及負折射發生之明顯程度。