光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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Subject: search.filters.subject.Negative Capacitance

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    鐵電鉿基氧化物壓電響應及其電晶體雷射退火
    (2018) 陳世堯; Chen, Shih-Yao
    近年來因科技發展運算處理與記憶體的與日俱增，而VDD降低對於電子產品開發是相當重要的，俱鐵電效應之鉿鋯氧化物（Hafnium-based Oxides）閘極堆疊鐵電場效電晶體（Ferroelectric FET，FE-FET）有機會應用在降低次臨界擺幅（Subthreshold Swing）及記憶體使用，前者使VDD能夠再進一步的降低，後者提升鐵電記憶體殘餘極化（Remnant Polarization）量。 利用壓電響應顯微鏡（Piezoresponse Force Microscopy , PFM）驗證了鉿鋯氧化物(HfZrO2)中存在鐵電電滯曲線和極化引起的殘餘極化。並研究MFM（Metal–Ferroelectric–Metal）在不同下電極厚度的遲滯曲線改變，找出最佳化厚度。鐵電電晶體利用雷射退火使源/汲極活化，提升元件的ON-current，使得元件的運作速度更快。
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    鐵電元件串接電晶體負電容效應及鋁摻雜鉿基氧化物暫態反應
    (2018) 周昱辰; Chou, Yu-Chen
    俱鐵電效應之鉿基氧化物於近幾年吸引相當多討論，在適當的摻雜與退火後將具有鐵電特性，可應於記憶體及鐵電負電容效應。後者於在電晶體應用，可改善次臨界擺幅 (Subthreshold Swing)以達陡峭斜率特性，將大幅降低元件操作電壓，具有低功耗元件應用價值。且鉿基氧化物本身與目前CMOS製程高相容性，於45nm後在業界已導入二氧化鉿介電層使用，故期望本論文提出之技術能夠於未來5nm以下技術節點使用。 本研究將針對不同摻雜與退火條件之鉿基氧化物，以元件應用為前提進行直流操作、快速操作的研究，以及利用串接的方式，把有鐵電特性的MFM (Matel-Ferroelectric-Matel)結構或是FeFET (Ferroelectric Field Effect Transistors)，串接在一般介電質的電晶體上，預期改善次臨界擺幅，跟Al：HfO2（FE-HAO）場效應電晶體的鐵電性並應用於負電容效應。 根據量測結果顯示，利用1530快速量測IdVg時，檔位的調整非常的重要，在限流的影響下要找到最適合的檔位。7.9%的HAO在1000℃的熱退火處理下，SS正反掃出現了SS=40 mV/dec及SS=39mV/dec，呈現了很好的物理極限，成為具有潛力的MOSFET。