光電工程研究所
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本所於民國91年成立碩士班,94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才,本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景,並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來,本校已轉型為綜合研究型大學,依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求,將能提供本所未來發展之參考與願景。
本所研究方向 :
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像
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Item 單負材料光子晶體光學性質之研究(2011) 吳聲志; Sheng-Chih WuIn this thesis, we shall study the optical properties for the one-dimensional photonic crystals (PCs) containing the single-negative (SNG) materials. Three main topics are involved. In the first part, we consider a PC that has a period of ENG-MNG bilayer, where ENG means the epsilon-negative material and MNG is the mu-negative material. We investigate the photonic stop band and passband structure based on the transfer matrix method. In the second part, we study the optical properties for a SNG Fibonacci PC. With this quasi-periodic structure, we show that the photonic band structure is strongly dependent on the number of Fibonacci sequence. The third topic is to study the transmission properties in a defective SNG. The resonant tunneling spectrum will be investigated in the symmetric and asymmetric structure. The defect modes are closely related to the thickness of the SNG layer in addition to the thickness of the defect layer.Item 單負超穎材料光子晶體能隙及其應用之研究(2014) 蔡皓旭; Hao-Xu Cai光子晶體是具有空間週期性特性的光學介質。本論文的目的是在分析單負超穎材料光子晶體能隙特性及其應用,論文中我們將探討三個主題。第一,由Drude model和Lorentz model兩種不同的模態分析光子能隙SNG gap。藉由改變材料參數、入射角度和厚度比例,觀察SNG gap特性。 第二部分,探討SNG gap及其量子井結構對於厚度的穩定性及特性。由第一部分中,我們發現不同的材料厚度的比例,對應不同的SNG gap大小,因此,我們進階探討SNG gap與厚度的關係。實驗中,我們讓厚度有著微小且不協調的波動誤差,比對正常厚度時的能帶結構,我們發現只要平均厚度比例相同,SNG gap光子能帶座落的範圍亦相近。 第三部分,加入缺陷層光子晶體1D-PCs (AB)nC(BA)n結構分析。加入缺陷層C的(AB)nC(BA)n結構,使得SNG gap中產生兩條通帶,藉由改變結構厚度和缺陷層厚度,皆會使得兩條通帶產生位移且缺陷層C厚度增加,使得兩通帶逐漸往中心平率合併(FWHM變窄)。 由SNG gap所產生的光子能帶,其特性對於入射角的變化和不協調的厚度波動,影響皆不敏感。而加入缺陷層光子晶體(AB)nC(BA)n結構亦具有相同的特性,結合以上特性,我們可以應用在濾波器上,設計出一個高品質且穩定的雙通頻率濾波器。Item 半導體光子晶體光電性質之研究(2013) 邱鴻錦; CHIU HUNG-CHIN本論文針對含有摻雜半導體的半導-介電光子晶體(SDPC)作理論性的研究。以轉移矩陣法來運算GaAs光子晶體的透射率。 在半導-介電光子晶體,介電係數和半導體內的溫度、壓力、載子密度有強相關,可以藉由這些因素來調整介電係數由正值到負值。 第一個部分是研究溫度、壓力、載子密度對1維GaAs/air光子晶體產生的能隙影響。 第二個部分是研究負介電係數在N層的1維GaAs/air光子晶體的情形,可發現在能隙上有N-1個頻道可通過。 第三個部分是研究以GaAs為缺陷之Si/SiO2光子晶體的光子能隙,可發現此缺陷有多個通過峰值出現在能隙上。