光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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Author: search.filters.author.Siang, Guo-Yu

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    鐵電氧化鉿鋯之負電容效應及類神經元件應用
    (2019) 向國瑜; Siang, Guo-Yu
    鐵電材料的遲滯現象(Hysteresis)具有雙穩態的特性，滿足記憶體對於信號的存取要求和負電容特性(Negative capacitance, NC)電壓放大的概念，因此近年來對於鐵電材料進行廣泛的研究。由於負電容特性改善次臨界擺幅(subthreshold swing, SS)，使MOSFET的SS在室溫下克服Boltzmann tyranny 2.3kbT/decade的物理極限，另一方面具有穩定遲滯現象和非破壞性讀取的特性適合作為非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory, NVM)。 本論文將針對鐵電材料氧化鉿鋯(HfZrO2, HZO)作為元件絕緣層的特性進行研究，首先將研究環繞式閘極場效電晶體搭載鐵電薄膜後，達到負電容效應，再來使用鐵電材料與非揮發性記憶體結合，研究應用於深度學習(Deep Learning, DL)且搭配不同結構與波型，尋找最佳的資料演算方式。