光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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具垂直異向性之一維磁性多層奈米線與磁性穿隧接面奈米元件
(2011) 陳柏源; Po Yuan Chen
具垂直磁異向性之奈米材料於發展下一代磁紀錄媒體與磁電阻式隨機存取記憶體扮演極重要的腳色。結合電化學電沉積技術與具奈米孔洞之氧化鋁模板可達成大量製造、低成本與高密度之目標。本研究所製備之鈷與鎳鐵合金之奈米線被證實具備垂直磁異向性且可透過磁晶異向性與形狀異向性來調整。結合具垂直磁異向性之鎳鐵合金奈米線與鈷鐵硼薄膜之磁性穿隧接面元件已成功被製造與探討。於低溫10K的環境下，鈷鐵硼薄膜厚度為1.5奈米時，其磁阻為104%，而鈷鐵硼薄膜厚度為1.0奈米時，其磁阻為110%，且在鈷鐵硼薄膜厚度小於1.0奈米時，於無固定層的條件下元件呈現出自旋閥的特性。