光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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利用 I-line 微影及相關製程技術開發奈米級 Ω 型金氧半場效電晶體和無接面式電晶體
(2019) 樂杰; Lo, Chieh
元件尺寸微縮在相同的面積下有著更高的效能，因此元件大小成為現今科技業一直持續努力的目標，然而隨著元件尺寸持續的微縮，短通道效應也隨著元件的微縮到來，當通道到達了數十奈米甚至是奈米量級的時候，嚴重的短通道效應將會帶來許多問題，因此能夠有效控制閘極能力至關重要，目前發展出許多方法來改善短通道效應，通道使用奈米線並配合三維結構如鰭式電晶體、Ω 形電晶體，藉由增加閘極的控制面積，來有效抑制漏電流，而這類型的電晶體也是在物聯網時代低耗能的候選者。本論文主要探討的是透過台灣半導體實驗室(TSRI) 0.35μm 製程的設備，製作 Ω 型金氧半場效電晶體(Ω-Shape MOSFETs)和 Ω 型無接面式電晶體(Ω-Shape JLFETs)，藉由在矽基板上堆疊二氧化矽和多晶矽來取代 SOI，盡可能降低成本並配合 365 奈米 I-Line 光學步進機快速生產元件，配合各種方式來微縮元件尺寸，藉此開發具有奈米級線寬的電晶體。