光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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20221

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Author: search.filters.author.LOU, Zhao-FengSubject: search.filters.subject.multibit

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    鐵電電晶體之類比式操作與後段製程相容之設計
    (2022) 羅肇豐; LOU, Zhao-Feng
    為達到人工智能（AI）之物聯網（IoT）及高速傳輸之5G/6G科技，高密度的記憶體內/近運算高度需求。近年來各方領域的近記憶體運算與記憶體內建邏輯紛紛被提出，利用各種新興非揮發性記憶體(Emerging non-volatile memory, e-NVM) ，以實現內部存取並執行邏輯操作減少耗時與耗能的問題。本論文便是討論鐵電電晶體之類比式操作與後段製程相容之設計。研究中採用直流 (DC) 掃描、脈衝測量、Endurance和Retention的方法來研究元件特性。因此，第二章會介紹實驗的測量設備和波形設置。在第三章中，驗證雙 HZO 鐵電場效應電晶體 (FeFET) 可多階操作 (MLC)以 提高NVM密度。與單HZO FeFET 相比，金屬層/鐵電層/金屬層/鐵電層/矽基板 (MFMFS) FeFET 能夠在 ±3 V 的超低寫入/抹除電壓 (VP/E) 下實現2-bit位操作，並具有穩定的數據保持能力>104秒和>107次循環的耐用性。此外，通過使用金屬層/鐵電層/介電層/鐵電層/矽基板結構將記憶窗戶(MW)擴大至2.6 V，讀取錯誤率(ER)比單HZO低600倍。兩種雙HZO FeFET都通過使用電壓調整的方案展示具有高度線性和對稱性的深度學習能力。 在第四章中，完成具有>106高開關電流比(Ion/Ioff)和4cm2/V⸳s 遷移率的無退火 In2O3 薄膜電晶體 (TFT)，採用20sccm的Ar和15 W的濺射系統沉積。最後將鐵電電容與In2O3-TFT串聯，成功觀察到磁滯特性，並完成FE電容與In2O3-TFT的面積比對磁滯差異進行實驗驗證。因此，In2O3-TFT 有望在未來與鐵電記憶體整合，用於後端製程 (BEOL)。