光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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    鐵電負電容效應之奈米片環繞式電晶體
    (2018) 古翔升; Gu, Siang-Sheng
    鰭式電晶體廣泛應用在許多3C產品中，例如：手機iPhoneA9處理器、電腦IC晶片……等，而在未來製程節點中，改善次臨界擺幅SS(Subthreshold Swing)降低元件之操作電壓與功率極為重要，本論文藉由導入HfZrO2鐵電材料當作電晶體的介電層，應用鐵電材料之負電容效應改善次臨界擺幅(SS)。 近期IBM團隊提出奈米片結構電晶體(Nanosheet FET)，有別於鰭式電晶體，奈米片電晶體是參考Gate-All-Around(GAA)電晶體結構， Si通道設計成水平的結構，可有效解決鰭式電晶體鰭高的製程瓶頸，並廣泛應用在各大領域中，例如:人工智慧(AI)、虛擬實境(VR)……等，本論文是以鐵電材料HfZrO2作為介電層，應用於奈米片電晶體中，達到俱有鐵電負電容效應之奈米片電晶體，其中黃光製程部分皆使用I-line步進機，可以提高生產效率。