光電工程研究所暨學士學位學程

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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系所網址：https://www.ieo.ntnu.edu.tw/

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20221

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Author: search.filters.author.Chen, Yi-ChuSubject: search.filters.subject.薄膜

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    磁控濺鍍高溫超導釔鋇銅氧薄膜臨界電流密度及表面電阻特性之研究
    (2022) 陳奕竹; Chen, Yi-Chu
    本實驗研究利用磁控濺鍍系統於鈦酸鍶(SrTiO3)(001)基板上成長釔鋇銅氧(YBa2Cu3Oy,YBCO)薄膜，以功率90 W、720°C、時間3.5小時與壓力400 mtorr條件下製程，經由X-ray繞射儀量測確認YBCO晶體結構及生長方向後，利用四點量測電阻對溫度( R–T diagram )測得臨界溫度(critical temperature , Tc)，可得為沿c軸方向生長、厚度為278 nm、Tc為86.92 K的釔鋇銅氧超導薄膜，後續對薄膜進行光學微影酸蝕刻，利用電性方法測得臨界電流(critical current, Ic)，換算得臨界電流密度(critical current density , Jc)，在80 K時電流密度為1.4×104 A/cm2，利用定溫下外磁化強度(M)與外加磁場(H)之關係，獲得上下臨界磁場(Hc1、Hc2 )，計算出穿透深度(penetration depth,λ)、相干長度(coherence length,ξ)，結果與參考文獻接近。透過SQUID系統量測磁滯曲線，藉由Bean model公式推算出臨界電流密度(critical current density , Jc)，80 K時可達3x105 A/cm2，將電流密度(Jc)換算成表面電阻(Rs)，電阻值與參考文獻接近，同時也運用High Frequency Structure Simulator(HFSS)模擬軟體，模擬蝕刻後不同微帶線長與寬情況下表面電阻，模擬最佳化電阻值與磁性量測時77-80 K之電阻值數量級一致。經由上述實驗結果顯示可獲得高品質之釔鋇銅氧薄膜。