光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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20191

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Author: search.filters.author.CHEN,Hong-YuSubject: search.filters.subject.deep learning

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    鐵電氧化鉿鋯之記憶體及類神經元件應用
    (2019) 陳泓宇; CHEN,Hong-Yu
    近年來發現摻雜HfO2在正交晶相中具有鐵電性，鐵電薄膜的殘餘極化和矯頑場可以通過摻雜濃度，退火條件進行調整。重要的是，HfO2與CMOS製程相容，用於記憶體上可以提供隨機存取、高速、低功率、高密度和非揮發性的理想記憶體條件。 本論文中展示了5nm厚度的Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)閘極堆疊鐵電電晶體之記憶體元件應用，後閘極製程(gate-last process)使鐵電性隨著結晶溫度的逐漸轉變。元件具備優異的寫入/抹除(P/E)數據保持(retention)，當寫入/抹除電壓為4.8V時，外插到10年之電流開關比~2x104，記憶窗0.67 V。本篇論文第一部分為探討1T1C鐵電電容二極體的讀取耐久性(Endurance)以及高數據保持力(Retention)，第二部分為5奈米厚度的Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)閘極堆疊鐵電電晶體之記憶體元件應用，以及探討不同介面層(Interfacial layer)對元件的影響，最後由於近年人工智慧的迅速崛起，我們利用具有鐵電性的元件來進行類神經應用，驗證了超薄鐵電層可做為新興記憶體及物聯網架構的真實性。