光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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Author: search.filters.author.陳世堯Subject: search.filters.subject.Negative Capacitance

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    鐵電鉿基氧化物壓電響應及其電晶體雷射退火
    (2018) 陳世堯; Chen, Shih-Yao
    近年來因科技發展運算處理與記憶體的與日俱增，而VDD降低對於電子產品開發是相當重要的，俱鐵電效應之鉿鋯氧化物（Hafnium-based Oxides）閘極堆疊鐵電場效電晶體（Ferroelectric FET，FE-FET）有機會應用在降低次臨界擺幅（Subthreshold Swing）及記憶體使用，前者使VDD能夠再進一步的降低，後者提升鐵電記憶體殘餘極化（Remnant Polarization）量。 利用壓電響應顯微鏡（Piezoresponse Force Microscopy , PFM）驗證了鉿鋯氧化物(HfZrO2)中存在鐵電電滯曲線和極化引起的殘餘極化。並研究MFM（Metal–Ferroelectric–Metal）在不同下電極厚度的遲滯曲線改變，找出最佳化厚度。鐵電電晶體利用雷射退火使源/汲極活化，提升元件的ON-current，使得元件的運作速度更快。