光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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Author: search.filters.author.林彥昀Subject: search.filters.subject.FeRAM

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    應用於FeRAM之鐵電氧化鉿鋯電容特性及穿隧接面元件
    (2020) 林彥昀; Lin, Yen-Yun
    隨著氧化鉿(HfO2)鐵電(Ferroelectric, FE)特性的發現，可以彌補最新技術節點與鐵電非揮發性記憶體之間的微縮瓶頸。除了非揮發性，新穎的記憶體還應該保證足夠的可靠度並同時具備低延遲及低耗能的特性，與鈣鈦礦鐵電記憶體相比，鐵電鉿基氧化物具備與CMOS製程相容且有利於尺寸微縮的優勢。 本論文第一部份使用氧化鉿鋯(Hf0.5Zr0.5O2)作為元件的鐵電層，以TiN及TaN 分別作為MFM(Metal-Ferroelectric-Metal)的上電極金屬，發現TaN的應力能使鐵電薄膜有著較大的殘餘極化(Remnant Polarization, Pr)，達到更好的記憶體特性。根據文獻，因反鐵電(Antiferroelectric, AFE)材料具有高耐久度的特性，故第二部分以高鋯濃度之氧化鉿鋯(HfxZr1-xO2)為鐵電層之MFM用於記憶體特性研究，並且達到耐久度(Endurance)超過1011次，使反鐵電材料能應用於FeRAM。另外，我們也將高鋯濃度之氧化鉿鋯，作為氧化鉿鋯鐵電穿隧接面(Ferroelectric Tunnel Junction, FTJ)元件之鐵電層，並成功區分出高阻態(High-Resistance State, HRS)與低阻態(Low-Resistance State, LRS)，證實AFTJ具有成為未來新興記憶體的潛力。