光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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鐵電材料於陣列記憶體之製程研究及需求
(2024) 李宗翰; Li, Zong-Han
伴隨著技術節點的演進，元件尺寸不斷的微縮，電子元件須滿足低功耗、高密度、高效能以及尺寸微縮等特性，鐵電鉿基氧化物因其天然的雙穩態、高速運行和低功耗而在記憶體應用中引起了廣泛關注，嵌入式非揮發性記憶體和存儲級記憶體可以透過積成鐵電氧化鉿鋯來實現鐵電隨機存取記憶體。近年來鐵電材料於記憶體領域得到廣泛的研究，由於鉿基氧化物鐵電材料具有與陣列記憶體製程優異的相容性，相比傳統鈣鈦礦的鐵電材料成為新興記憶體的候選者之一。本論文研究分為三個部分，第一部份透過台灣半導體中心以及國立陽明交通大學奈米中心提供的機台開發出不同材料厚度的記憶體，第二部分為開發鐵電材料運用於陣列記憶體的製程，第三部分透過原子層沉積系統調變不同前驅物沉積順序，分別開發固態溶解與超晶格之鐵電氧化鉿鋯堆疊製程，並使鐵電層厚度再減薄，達到降低操作電壓效果，超晶格的結構有助於鐵電氧化層的結晶，進階將其應用於記憶體陣列的運用。