光電工程研究所

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本所於民國91年成立碩士班，94年成立博士班。本所成立之宗旨及教育目標在於培育符合社會所需的光電科技專業人才，本所發展目標在於實現學界對於國內產業的關懷與參與之願景，並朝向「產業知識化、知識產業化」的發展趨勢與需求邁進。近年來，本校已轉型為綜合研究型大學，依據校務整體發展計畫與本所發展策略規劃之需求，將能提供本所未來發展之參考與願景。

本所研究方向 ：
一、光電材料與元件模組
二、奈米生醫及醫學影像

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20111

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    低磁場核磁共振系統應用於Fe304-Anti CRP之磁鬆弛研究
    (2011) 劉玠汶
    我們將預先極化技術以及超導量子干涉元件(Superconducting quantum interference device, SQUID)應用於低磁場核磁共振及核磁造影系統上。重新設計靜磁場及梯度磁場線圈，使得磁場均勻度在5×5×5 cm3內可達萬分之一，在補償一z方向梯度磁場下，10 ml水量的線寬為0.8 Hz，訊雜比為110。在磁性奈米粒子之磁鬆弛量測方面，固定MF Anti-CRP濃度下，其線寬會隨著本身樣品的溫度上升而下降。而橫向鬆弛時間(T2)之倒數隨著MF Anti-CRP濃度增加而成一線性增加關係。於核磁共振造影中，在梯度磁場33 μT/m下，解析度約為0.07公分。