機電工程學系

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系所沿革

為迎合產業機電整合人才之需求,本校於民國 91年成立機電科技研究所,招收碩士班學生;隨後並於民國93年設立大學部,系所整合為「機電科技學系」,更於101學年度起招收博士班學生。103學年度本系更名為「機電工程學系」,本系所之發展方向與目標,係配合國家政策、產業需求與技術發展趨勢而制定。本系規劃專業領域包含「精密機械」及「光機電整合」 為兩大核心領域, 使學生不但學有專精,並具跨領域的知識,期能強化學生之應變能力,以適應多元變化的明日社會。

教學目標主要希望教導學生機電工程相關之基本原理與實務應用的專業知能,並訓練學生如何運用工具進行設計、執行、實作與驗證各項實驗,以培養解決機電工程上各種問題所需要的獨立思考與創新能力。

基於建立系統性的機電工程整合教學與研究目標,本系學士班及研究所之教育目標如下:

一、學士班

1.培育具備理論與實作能力之機電工程人才。

2.培育符合產業需求或教育專業之機電工程人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之機電工程人才。

二、研究所

1.培育具備機電工程整合實務能力之專業工程師或研發人才。

2.培育機電工程相關研究創新與產業應用之專業工程師或研發人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之專業工程師或研發人才。

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    HIPIMS鍍製HfO2氧化層之MIM電容的鐵電量測
    (2016) 石登元; Shih, Teng-Yuan
    鐵電材料是目前熱門的研究目標之一,現今科技的發展使得我們對於電子元件的尺寸追求越來越小。然而傳統鐵電材料所鍍製的薄膜厚度大約幾百奈米,薄膜的漏電也非常大,從而影響鐵電材料在記憶體上的應用。所以科學家們開始尋找新型的鐵電材料,並且發現HfO2和ZrO2等材料,有機會取代傳統鐵電材料。其中HfO2更是許多科學家所看好的新型鐵電材料選擇,並嘗試使用不同的鍍製方式來探討HfO2薄膜所能展現出的鐵電特性。 在本研究中,我們將利用高功率脈衝磁控濺鍍 (High Power Impulse Magnetron Sputtering, HIPIMS)來製備HfO2鐵電層。試片的基本結構上為,在P-type矽基板上使用DC sputter鍍製下電極的Mo,再來是鐵電層HfO¬2,最後則是上電極的Al。實驗總共會有三組Sample的變化。Sample 1為在HfO2層中摻雜Zr形成HfO2:Zr薄膜。Sample 2則是在HfO2層上鍍製一層Zr層。Sample 3是在HfO2的上下方分別鍍製TiN層以及ZrN層兩種結構變化。試片完成後,做鐵電性的量測,並配合物性測量作分析。最後,本研究在三組Sample中皆有發現極化現象。在Sample 1中得知HIPIMS鍍製時,氧氣通量在10 sccm表現最佳,並且RTA在850℃時無鐵電性表現。在Sample 2中得知Zr摻雜在HfO2的量不是越多越好,在TEM中看出HIPIMS鍍製時Hf對Mo層造成損害的情況,這情況在Sample 3的結構中能有效的改善。而Sample 3試片的鐵電性在三組中是表現最好的,TiN與ZrN在RTA溫度上的趨勢表現相反,推測是因為兩者在應力結構上表現不同。 關鍵字: 高功率脈衝磁控濺鍍、鐵電材料、二氧化铪
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    以脈衝雷射鍍膜法成長PMN-PT薄膜及其性質量測
    (2005) 歐信良
    摘 要 本研究是利用具有快速鍍膜及保持多元系統化學計量比的脈衝雷射鍍膜法( pulsed laser deposition,PLD )來進行0.67Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.33PbTiO3 (PMN-PT)鐵電薄膜的生長。在判斷靶材與薄膜的相鑑定方面是以X-ray繞射儀來進行,薄膜厚度則是利用X-ray反射法來量測。由實驗的結果發現:在鍍膜溫度為600℃~700℃、氧壓為2x10-1 torr,可以在MgO(100)基板上成長出磊晶結構的薄膜;薄膜磊晶結構的品質則利用Φ- scan加以確認。 實驗中藉由成長不同時間的薄膜,發現薄膜在成長時間超過60分鐘後性質上的差異。薄膜的折射率及消光係數是利用橢圓偏光儀來量測,薄膜的表面粗糙度則是利用原子力顯微鏡掃描所獲得。由實驗亦發現:當薄膜成長時間超過60分鐘,開始出現(110)及焦綠石相等其它非磊晶的結構,這樣的現象亦可由折射率和消光係數的變化及表面粗糙度的大幅增加得到印證。最後,成長La0.5Sr0.5CoO3 (LSCO)為上下電極,順利的量測到薄膜的介電性及鐵電性(極化強度-電場)。