機電工程學系

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系所沿革

為迎合產業機電整合人才之需求,本校於民國 91年成立機電科技研究所,招收碩士班學生;隨後並於民國93年設立大學部,系所整合為「機電科技學系」,更於101學年度起招收博士班學生。103學年度本系更名為「機電工程學系」,本系所之發展方向與目標,係配合國家政策、產業需求與技術發展趨勢而制定。本系規劃專業領域包含「精密機械」及「光機電整合」 為兩大核心領域, 使學生不但學有專精,並具跨領域的知識,期能強化學生之應變能力,以適應多元變化的明日社會。

教學目標主要希望教導學生機電工程相關之基本原理與實務應用的專業知能,並訓練學生如何運用工具進行設計、執行、實作與驗證各項實驗,以培養解決機電工程上各種問題所需要的獨立思考與創新能力。

基於建立系統性的機電工程整合教學與研究目標,本系學士班及研究所之教育目標如下:

一、學士班

1.培育具備理論與實作能力之機電工程人才。

2.培育符合產業需求或教育專業之機電工程人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之機電工程人才。

二、研究所

1.培育具備機電工程整合實務能力之專業工程師或研發人才。

2.培育機電工程相關研究創新與產業應用之專業工程師或研發人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之專業工程師或研發人才。

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    氧化釔閘極介電層之電性與漏電流機制研究
    (2010) 李洹; Huan Lee
    本實驗之中,我們成功地製作了Al/Y2O3/p-Si的MOS電容器,我們使用射頻濺鍍法沉積Y2O3薄膜其厚度為7 nm,沉積完後再分別做650、750和850 oC的快速熱退火,最後再沉積Al當作電極。由X-ray繞射儀的分析比較不同退火溫度下的Y2O3薄膜,發現在做完850 oC的快速熱退火之後Y2O3薄膜沒有結晶的產生,顯示Y2O3這個材料有很高的結晶溫度,並且隨著退火溫度的增加在2θ=55o的峰值也跟著上升,其中55o的峰值指的是矽的金屬氧化物。接著利用X-ray光電子能譜儀進行成份的分析,由分析的結果得知的確有矽的金屬氧化物的存在,並且隨著退火溫度的上升,矽的金屬氧化物的含量也是有增加的。 接下來則是對Y2O3薄膜進行C-V和I-V的量測,首先是C-V量測的結果,隨著退火溫度的上升所量測到的電容值會降低,計算得到的介電常數也跟著下降。其原因是因為由於有矽的金屬氧化物的產生,而矽的金屬氧化物本身的介電常數較低,所以有矽的金屬氧化物的產生會造成整體的介電常數下降。另外I-V的量測結果則顯示,隨著退火溫度的上升所量測到的漏電流會降低,其退火溫度為650和850 oC所量測到的電流值分別為4.56×10-1 A/cm2和3.43×10-2 A/cm2。而原因可能是因為有矽的金屬氧化物的產生,而造成整體的厚度增加使得漏電流下降。