機電工程學系

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系所沿革

為迎合產業機電整合人才之需求,本校於民國 91年成立機電科技研究所,招收碩士班學生;隨後並於民國93年設立大學部,系所整合為「機電科技學系」,更於101學年度起招收博士班學生。103學年度本系更名為「機電工程學系」,本系所之發展方向與目標,係配合國家政策、產業需求與技術發展趨勢而制定。本系規劃專業領域包含「精密機械」及「光機電整合」 為兩大核心領域, 使學生不但學有專精,並具跨領域的知識,期能強化學生之應變能力,以適應多元變化的明日社會。

教學目標主要希望教導學生機電工程相關之基本原理與實務應用的專業知能,並訓練學生如何運用工具進行設計、執行、實作與驗證各項實驗,以培養解決機電工程上各種問題所需要的獨立思考與創新能力。

基於建立系統性的機電工程整合教學與研究目標,本系學士班及研究所之教育目標如下:

一、學士班

1.培育具備理論與實作能力之機電工程人才。

2.培育符合產業需求或教育專業之機電工程人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之機電工程人才。

二、研究所

1.培育具備機電工程整合實務能力之專業工程師或研發人才。

2.培育機電工程相關研究創新與產業應用之專業工程師或研發人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之專業工程師或研發人才。

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    具氧化鋅奈米柱之發光二極體製作
    (2010) 童建凱; Chien-Kai Tung
    發光二極體被視為未來主要的照明光源,高功率發光二極體於技術上屢有突破,但現階段發光效率的不足,使發光二極體無法取代傳統光源作為照明燈源的主流,故發光二極體發光效率的提升,是目前技術發展的重點之一。過去的研究指出,將奈米線應用於發光二極體的結構製作,能有效提升其發光強度;而在各式成長奈米線的方法中,水熱法製備之奈米線具有高品質順向成長與製程簡易的優點,故本論文將採用此法成長氧化鋅奈米線,並以射頻濺鍍法沉積N型氧化鋅鋁薄膜,P型材料則選用氧化鋅與氮化鎵薄膜結構,藉以製備其氧化鋅奈米線之發光二極體,並進行其發光特性之研究。 在奈米線的部份,藉由水熱法成功製備氧化鋅奈米線,氧化鋅奈米線摻雜鋁部分,鑑於製程步驟與參數和文獻有所不同,故摻雜效果不彰,需以更多的參數進行測試。熱處理氧化鋅奈米線方面,可發現因缺陷產生的綠光波段強度明顯降低,並且對於降低阻值與能障有很大幫助。 P型氧化鋅部份,使用摻雜P2O5氧化鋅靶材,在具有氧化鋅緩衝層之藍寶石基板上,加熱至700 C,藉由氬/氧流量比例為1:3,沉積氧化鋅磷薄膜,並在氧氣的氣氛下冷卻。隨後氧化鋅磷薄膜經由RTA處理,有可能製備出P型氧化鋅薄膜。目前在RTA持溫溫度900 C,持溫5分鐘之處理下,已製備出局部P型氧化鋅薄膜,其載子濃度為8.7921018 cm-3,移動率為0.793 cm2 / V-s,電阻率為0.8953 -cm。實驗的結果推測可能是試片電性轉換不完全所致。未來將考慮以共濺鍍或熱擴散的方式,繼續P型氧化鋅薄膜之試驗。 發光二極體部份,目前已於P型氮化鎵(鎂摻雜,載子濃度約為1017 cm-3)薄膜上,成功製備氧化鋅奈米線/N型氧化鋅鋁薄膜結構,並完成發光二極體之晶粒製作,其尺寸為300 m 300 m。在約大於15 V的操作電壓下,以長工作距離顯微鏡可觀察到,發光二極體晶粒的部份區域放射出藍光,且發光強度隨著電壓增加而變大。但初期製作之串聯電阻極高,且電流分布不均,在改善電極形狀後,可以有效增加電流分布的範圍,並且經過製程順序的調整,能有效改善因快速熱退火處理對鋁電極產生的不良影響,讓發光區域增加。未來將以快速熱退火進行後處理,並檢測其電極是否形成歐姆接觸,以期提升性能,進而檢測其發光頻譜等特性。