機電工程學系

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系所沿革

為迎合產業機電整合人才之需求,本校於民國 91年成立機電科技研究所,招收碩士班學生;隨後並於民國93年設立大學部,系所整合為「機電科技學系」,更於101學年度起招收博士班學生。103學年度本系更名為「機電工程學系」,本系所之發展方向與目標,係配合國家政策、產業需求與技術發展趨勢而制定。本系規劃專業領域包含「精密機械」及「光機電整合」 為兩大核心領域, 使學生不但學有專精,並具跨領域的知識,期能強化學生之應變能力,以適應多元變化的明日社會。

教學目標主要希望教導學生機電工程相關之基本原理與實務應用的專業知能,並訓練學生如何運用工具進行設計、執行、實作與驗證各項實驗,以培養解決機電工程上各種問題所需要的獨立思考與創新能力。

基於建立系統性的機電工程整合教學與研究目標,本系學士班及研究所之教育目標如下:

一、學士班

1.培育具備理論與實作能力之機電工程人才。

2.培育符合產業需求或教育專業之機電工程人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之機電工程人才。

二、研究所

1.培育具備機電工程整合實務能力之專業工程師或研發人才。

2.培育機電工程相關研究創新與產業應用之專業工程師或研發人才。

3.培育具備人文素養、專業倫理及終身學習能力之專業工程師或研發人才。

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    金屬/氧化鉿(HfO2)/氧化釩(VO2)/HfO2/Si MOS 結構之閘極漏電流分析
    (2022) 江孟勳; Jiang, Meng-Xun
    隨著科技進步,半導體元件達到設計的極限,因此需要尋找新的材料。有金屬-絕緣體相變特性的 VO2 就是個很適合研究的材料。本研究使用Al/HfO2/VO2/HfO2/Si 堆疊的 MOS 結構來研究 VO2 特性,並比較不同製程參數所完成試片的差異。HfO2 是熱穩定性高的高介電常數材料。由於這些特性,即便 VO2 表現得像金屬,介電層仍有介電特性進行擬合,並能在相變時看到明顯的介電常數變化。本研究使用 HiPIMS 長成高品質的VO2 薄膜,以減少 VO2 薄膜的缺陷所造成的實驗誤差。本研究使用漏電流機制擬合獲得的參數(介電常數、陷阱能階、能障高度)來判斷其是否適合作為 MOS 結構之潛力材料。 本研究從實驗結果得出以下結論與推測。第一點,MOS 特徵的減弱主要是因為 Al 的滲透。第二點,可能存在低阻值的類電流通路。第三點,介電常數隨量測溫度增加而減少並在高溫時反轉,主要是因為 VO2 的相變。第四點,可能在介面生成 SiO2。最後,最佳製程參數是 500°C 的退火溫度和40 nm 的 VO2厚度。 關鍵字:二氧化釩、HiPIMS、漏電流機制、介電常數