Browsing by Author "chen yan hung"

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    聯吡嗪釕錯合物之性質研究
    (2010) 陳彥宏; chen yan hung
    錯合物 [Ru(bpz)n(bpy)3-n2+], n = 0, 1, 2, 3 已被合成，配位基 bpz 具有強拉電子能力，錯合物之氧化電位會隨著 bpz 數目的增加而越低。此系列錯合物中又以 Ru(bpz)2(bpy)2+ 具有最長的生命期及最大的 quantum yield。 在光敏性染料電池的實驗中，合成了含拉電子基(bpz、pz 或 10-pz)配位的錯合物。此類錯合物的氧化電位分別為約 0.924、1.13 及 1.14 V，均高於 I－/I3－ (0.34 V v.s. SCE) 和 2Br－/Br2 (0.85 V v.s. SCE) 電位。但是光電轉換效率都不好，最大者為Ru(dcbpy)2(10-pz)(NCS)+ 在 I－/I3－ 下，僅1.11% 。 在生物系統中之實驗中，利用 Ru(bpz)2(bpy)2+ 的特性，合成出 Ru(bpz)2(LL)2+ (LL：dppz、deebpy 與 bpz)，此類錯合物都具有很強的光激發氧化力，各別依序為 1.34 V、1.39 V 與 1.5 V。均能夠氧化 tyrosine、GMP 及 AMP。在螢光淬息速率中，driving force 大小會影響淬息速率的快慢。當 Ru(bpz)32+ 與 tyrosine、GMP 及 AMP 反應，driving force 分別為 0.81 V、0.56 V 與 0.18 V，螢光淬息速率依序為6.4 x 108、2.65 x 109 及2.23 x 107。由瞬間吸收光譜亦可觀察到中間產物至 Ru(bpz)(bpz－)(LL)+ 與 quencher 的 cation radical 之吸收峰。