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    V頻帶功率放大器與I/Q調變器設計
    (2013) 鍾懿威; Yi-Wei Chung
    本論文研製之方向為一毫米波發射機系統的子電路分析─功率放大器(Power Amplifier, PA)與I/Q調變器(I/Q Modulator),電路操作於V頻帶,使用的製程為台積電所提供的TSMC CMOS 90nm RF 1P9M標準製程。 隨著無線通訊技術的迅速發展,射頻積體電路逐漸朝著更高的頻率、資料傳輸速率、寬頻且高整合性的方向前進;無須執照的V頻段具備有達成超高速率傳輸的可行性,係一個利於本次設計研發的頻段。而CMOS製程技術具有小面積、低成本、低功耗、與高整合度等優勢,係一在毫波米頻段極具吸引力的製程技術。 於各電路的模擬設計上採用了安捷倫所提供之ADS(Advanced design system)與電磁模擬軟體SONNET,而設計的電路為功率放大器(Power Amplifier, PA)與I/Q調變器(I/Q Modulator)兩個發射機系統的前端電路,其中功率放大器(Power Amplifier, PA)於設計上採用1:2:4的三級共源極(common source, CS)設計架構,其中第一級與第二級設定為驅動級(Drive Stage),第三級為功率輸出級(Power Stage),並在第三級加入一線性器,讓功率輸出有約略6 dBm左右的線性延長現象,於60 GHz的最大輸出功率為9.72 dBm,包含測試pad的晶片面積為0.711 × 0.657 mm2。 I/Q調變器(I/Q Modulator)於設計上,由最基本的混頻原理作為切入,完成一改良式Gilbert-cell混頻器(Modified Gilbert-cell Mixer),並有效結合數學模型加以驗證一I/Q調變器(I/Q Modulator)的電路架構與模型,包含測試pad的晶片面積為0.6978×0.8126 mm2。

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