Browsing by Author "Yang, Jhih-Sian"

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    靜電轉印二維層狀材料技術開發
    (2023) 楊志賢; Yang, Jhih-Sian
    過渡金屬二硫屬化物(TMDs)是MX2類型的半導體材料，其特點包含:高載流子遷移率、在單層的時候具有直接能隙、製作成場效電晶體的時候具有極高的電流開關比；但是此類材料為了避免超出電子元件的熱預算，因此會事先長在藍寶石基板之上，再利用轉印的方式轉印到目標基板加以應用，但是現今藍寶石基板的轉印方法皆需要使用到有機聚合物支撐層，而有機聚合物並無法被完全的去除，殘存下來的有機聚合物會對材料的電性表現產生影響，因此本研究致力於發展不需要有機聚合物支撐層之轉印方法來避免掉殘留的有機聚合物對元件性能造成影響。本實驗藉由生長OTS-SAM膜在矽基板之上，來提升累積電荷的能力，以此達成純物理吸附的方式來轉印二維層狀材料至矽基板之上，此轉印過程皆無使用有機聚合物，因此可以達到乾淨的二維材料表面，由AFM圖像也可證明使用靜電轉印法之MoS2粗糙度明顯低於PMMA轉印法；另外由場效電晶體的遲滯大小可以看出，使用靜電轉印方法的遲滯明顯較低，代表靜電轉印的MoS2表面殘留物確實較少。