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    烷硫醇在Ge(100)表面上的吸附及熱分解反應
    (2008) 李威霖; Wei-Lin Li
    利用程溫脫附儀(TPD)及光電子能譜儀(XPS)來探測硫化氫(H2S)及烷硫醇(R–SH，R = CH3，C2H5及C4H9)在鍺晶體表面上的吸附及熱分解反應。TPD是用來偵測表面上經由熱分解而脫附的產物，而XPS是用來鑑定熱分解過程中的表面化學組態。 在100K時，硫化氫曝露到鍺表面即會斷硫氫鍵，形成表面硫氫基及表面氫。H2，H2S及GeS是硫化氫在鍺表面上的熱分解脫附產物。短鏈的烷硫醇較長鏈的烷硫醇反應性為高，較容易進行脫氫反應產生表面烷基硫。100K時，甲硫醇分子在表面上即會分解為甲基硫和氫原子，但乙硫醇及丁硫醇分子，除了會分解為烷基硫及氫原子外，亦會以分子的形式吸附在表面上，而分子吸附的烷硫醇至320K時即會完全分解成烷基硫。隨著升溫，所有的烷基硫會進行兩個競爭反應 – 一部分進行重結合反應形成烷硫醇分子脫附，一部分斷硫碳鍵形成表面烷基及硫原子。 甲基硫在570K左右會分解形成表面甲基及硫原子，此表面甲基，在725K時，大部分直接脫附，小部分和氫原子結合成甲烷脫附。乙基硫在650K時，以β-hydride elimination反應脫附出乙烯及氫分子。丁基硫一樣進行脫去β-hydride而脫附出丁烯。殘存在表面上的硫原子在695K時以GeS的形式脫附。