Browsing by Author "Lin, Fang-Yuan"

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    利用薄膜和氣-液-固三相反應成長單層二硫化鉬
    (2020) 林方媛; Lin, Fang-Yuan
    MoS2由於其各種新穎的特性而成為最受歡迎的二維材料之一。高質量的原子級薄MoS2已被證實在先進電子設備中具有巨大的潛力。為了進一步工業化，需要對均勻性和結晶度進行嚴格控制的大規模合成技術。在這項工作中，已經報導了一種新的由NaF / SiO2 / MoO3結構合成的膜輔助氣液固(VLS)技術，並且可以獲得具有優異均勻性的毫米大小的三角形單層MoS2。研究和優化了佈置的影響以及每一層的厚度，溫度，流場和硫化階段。所獲得的單層MoS2通過拉曼，光致發光(PL)，X射線光電子能譜(XPS)和原子力顯微鏡(AFM)來表徵。已經在SiO2 / Si晶片上製造了結合了所獲得的MoS2的場效應晶體管，並研究了其在不同溫度（80-300 K）下的Id-Vg曲線，遷移率，開/關比。測量了高遷移率（32±5 cm2V-1S-1）和開/關比（5×108），這暗示了其在電子設備中的出色性能。在這項研究中，新設計的三層結構為合成其他高質量的單層過渡金屬二硫代雙金屬（TMD）材料奠定了廣闊的應用前景。 關鍵字:二硫化鉬、二維材料、場效電晶體和載子遷移率