Repository logo
Communities & Collections
All of DSpace
  • English
  • العربية
  • বাংলা
  • Català
  • Čeština
  • Deutsch
  • Ελληνικά
  • Español
  • Suomi
  • Français
  • Gàidhlig
  • हिंदी
  • Magyar
  • Italiano
  • Қазақ
  • Latviešu
  • Nederlands
  • Polski
  • Português
  • Português do Brasil
  • Srpski (lat)
  • Српски
  • Svenska
  • Türkçe
  • Yкраї́нська
  • Tiếng Việt
Log In
New user? Click here to register.Have you forgotten your password?
  1. Home
  2. Browse by Author

Browsing by Author "Lin, Zih-Jing"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 1 of 1
  • Results Per Page
  • Sort Options
  • No Thumbnail Available
    Item
    奈米碳管光磁性研究與探討
    (2015) 林子晶; Lin, Zih-Jing
    有鑑於三聯吡啶釕錯合物(Tris(2,2'-bipyridine) ruthenium(Ⅱ),簡稱[Ru(bpy)3]2+)是一具電化學發光特性的光敏劑,可在可見光照射下進行metal-to-ligand charge transfer(簡稱MLCT),具光電應用潛力,本實驗遂製備[Ru(bpy)3]2+的5-胺基菲羅啉(5-amino-1,10- phenanthroline,簡稱NH2-phen)衍生物:Bis(2,2'-bipyridine)-5-amino- 1,10-phenanthroline ruthenium(Ⅱ)(簡稱[Ru(bpy)2(NH2-phen)]2+),再利用化學偶氮修飾法將之修飾在多層奈米碳管表面,得到含釕錯合物奈米碳管,簡稱為Ru@CNT,以進行光磁轉換探討。 實驗結果顯示:在合成條件為13.5 mg [Ru(bpy)2(NH2-phen)]2+、5 mg CNT、0.8 mg NaNO2、20 mg AA與10 mL的0.1 M HCl,反應溫度為80℃,反應時間24 h,能合成出表面修飾較為均勻的Ru@CNT。若以VSM、AC susceptibility分析法、磁性模組與導電模組AFM進行分析,我們發現Ru@CNT受到藍光雷射(ex: 473 nm)照射時,表面上的釕吸附微粒會產生電荷分離,電子組態會由單重態轉變成參重態,而在室溫下產生磁性。若進一步分析其電子躍遷能位,我們推論Ru@CNT受光激發時,電子轉移障礙約為0.5 eV。由於此時MFM所測得的相位差明顯增加,間接證實其光磁性來自電荷分離與電荷轉移,顯示Ru@CNT具有光電與光磁轉換應用潛力。

DSpace software copyright © 2002-2025 LYRASIS

  • Privacy policy
  • End User Agreement
  • Send Feedback