Browsing by Author "Lee, Ming-Hung"

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    台灣赴歐高端旅遊產品創新元素之研究-以休閒主題旅遊為例
    (2017) 李明宏; Lee, Ming-Hung
    摘 要 台灣高端消費族群消費趨向與要求提升，資訊的傳遞與取得快且易，旅遊產業的價值鏈產生明顯變化。為讓業者可自我提升與迎和高端消費的方式，需瞭解如何將設計行程的專業提升，來滿足自主性越來越高的高端消費層。目前因受整合平台的衝擊，旅行社的掌握特有專業的能力受到衝擊，新消費型態的價值鏈裡，消費者有更多資訊、更多選擇管道，且純熟 的電子商務的讓顧客關係管理(CRM)互動容易，唯有滿足消費者需求的服務，將是提升競爭力的關鍵手段。研究專業的創新理論與導入實際創新產品的研發流程如創新漏斗，來管理篩選創意並提升差異化與吸引力組合的產品，以此創新的想法與策略規劃來因應競爭的產業環境。 本論文之研究是如何以競爭優勢來獲得競爭利基及以創新的論點來因應消費端的變遷，運用AHP 的專家問卷調查的結果，權衡不同領域專家之意見，歸納出高端歐遊創新的要素，以三大構面:吸引力、市場性、專業度等來分析其權重，提供高端旅遊業之參考與研究，研究結果顯示：具文藝情境特性內涵相關性之創新方案中以專業度與專屬獨特列為首要的要素； 具頂級美食特色為亮點相關性之創新方案中以獨特性與特定餐飲菜單列為首要的要素。 選擇方案中最優先組合，來提供旅遊業於高端歐洲旅遊發展上一個參考與助益，讓高端的消費者有理想專業的旅遊業者可安排更佳的行程，來創造出更大的優勢，讓創新服務帶給高端消費者有更滿意與驚喜，獲得雙贏的格局。
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    穿隧式電晶體的製備與缺陷輔助穿隧分析
    (2017) 李俊葳; Li, Jun-Wei
    在次世代COMS製程結點，改善次臨界擺幅、降低元件之操作電壓及功率損耗極為重要。當scaling 到Vt 不能再小時勢必也造成VDD無法再縮小，問題就發生在傳統的MOSFET的subthreshold swing 最小的物理極限為60mV/dec. ，而穿隧式場效電晶體在近幾年備受大眾的關注，因為穿隧電晶體係利用電子穿隧效應作為通道開關使S.S. 小於60mV/dec. 以及非常小的漏電流。降低VDD和較低的能源消耗的特性適合用於低功率元件。但是目前TFET在開的狀態時電流過低的問題，這將會限制住TFET的發展性。 因此，本論文研究方向是如何提高TFET電流與分析其特性。本文提出使用垂直方向的穿隧式電晶體結構並討論其機制，藉由使用磊晶技術增加穿隧面積已達到驅動電流的提升及優化元件參數提升TFET的性能，比較點穿隧型電晶體與面穿隧型電晶體來其特性。結果顯示面穿隧型電晶體開電流最大可以到達0.74μA/μm 且S.S. 在常溫下為97mV/dec，而點穿隧型電晶體的開電流只有0.07μA/μm但S.S. 在常溫下為76mV/dec。由於Trap-assisted Tunneling的機制導致開電流和次臨界擺幅沒有達到預期的好。因此使用電荷引汲技術並萃取其缺陷密度，發現面穿隧型電晶體的缺陷密度為2.5x1011(#/cm2)，主要分布在磊晶通道與源極的介面，而點穿隧型電晶的缺陷密度為1010(#/cm2)，分布介電層與通道/源極處。在未來工作中將製備出超薄的Si或是Ge磊晶層以達到高性能與低功耗操作之應用。
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    鐵電氧化鉿鋯之記憶體及鰭式電晶體
    (2019) 廖俊宇; Liao, Chun-Yu
    在半導體的領域中，電晶體在設計上追求精小，然而對效能的期望卻越來越高。因此，此領域的專家不斷地找尋新穎材料，嘗試加入在電晶體的製作中，希望能藉此突破現今所面臨的瓶頸。鐵電材料在近年來相當受到研究人員的注目，其材料擁有的雙穩態能被廣泛應用於記憶體的操作上。此外，鐵電材料中出現的負電容效應，有著電壓放大的效果，能有效打破次臨界擺幅(subthreshold swing, SS)的物理極限，以降低操作電壓VDD。 本篇論文研究將使用鐵電材料-氧化鉿鋯(HfZrO2, HZO)作為絕緣層，在MFM(Metal-Ferroelectric-Metal)結構中替換不同的上電極金屬，探討遲滯曲線特性的改變。而在記憶體追求簡單的電路設計概念下，利用HZO鐵電電晶體來做出1T記憶體。最後在鰭式電晶體的製程技術下，搭載鐵電薄膜來突破次臨界擺幅的極限，同時達到尺寸微縮及效能提升的結果。
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    鐵電鉿基氧化物之負電容電晶體：直流反應、高速反應、穩定度測試
    (2017) 唐啟軒; Tang, Chi-Hsuan
    具鐵電效應之鉿基氧化物(Hafnium-based Oxides)於近幾年吸引相當多討論，在適當的摻雜與退火後將具有鐵電負電容之特性。應用在電晶體上能夠使其具有陡峭次臨界擺幅陡峭之特性，將大大地降低元件耗能，非常具有作為低功耗元件的潛力。且鉿基氧化物本身與矽基板間有著高相容性，在業界的使用也已行之有年，能夠快速地整合進入現有製程。 本研究將針對不同摻雜與退火條件之鉿基氧化物，以元件應用為前提進行直流操作、快速操作以及可靠度測試的研究。目標是發展利用鐵電之鉿基氧化物做為電晶體，在實用面的材料以及特性分析。累積研究結果，供未來世代元件使用。
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    鐵電鉿基氧化物壓電響應及其電晶體雷射退火
    (2018) 陳世堯; Chen, Shih-Yao
    近年來因科技發展運算處理與記憶體的與日俱增，而VDD降低對於電子產品開發是相當重要的，俱鐵電效應之鉿鋯氧化物（Hafnium-based Oxides）閘極堆疊鐵電場效電晶體（Ferroelectric FET，FE-FET）有機會應用在降低次臨界擺幅（Subthreshold Swing）及記憶體使用，前者使VDD能夠再進一步的降低，後者提升鐵電記憶體殘餘極化（Remnant Polarization）量。 利用壓電響應顯微鏡（Piezoresponse Force Microscopy , PFM）驗證了鉿鋯氧化物(HfZrO2)中存在鐵電電滯曲線和極化引起的殘餘極化。並研究MFM（Metal–Ferroelectric–Metal）在不同下電極厚度的遲滯曲線改變，找出最佳化厚度。鐵電電晶體利用雷射退火使源/汲極活化，提升元件的ON-current，使得元件的運作速度更快。