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    以光學聚焦區浮爐方法成長Li2CuO2單晶及研究其氧缺陷對物性的影響
    (2013) 田如君; JuChun Tien
    Li2CuO2晶格結構的主要基礎為一個共邊鏈的CuO2。鋰離子沿c軸方向與CuO2交錯堆疊成一正交晶系結構，其晶格常數為a = 3.66 Å，b = 2.86 Å，c = 8.94 Å，銅-氧-銅間的鍵角為93°。此系統具反鐵磁性質，其尼爾溫度約在 TN ~ 9 K，在2.6 K為鐵磁自旋傾斜。Cu2+離子在此系統中為自旋1/2，根據古典海森堡模型理論計算，其有效磁矩為 1.732 μB。然而在實驗上利用居里外斯定律分析磁化率，得到有效磁矩的結果大於1.732 μB，E. M. L. Chung等人從中子繞射實驗發現氧具有自旋，我們進而推論氧缺陷為主因。 　　為了驗證有效磁矩增加是否真為氧缺陷所造成，我們設計了在不同氧壓力和七大氣壓下調變氧分壓，藉以調整氧缺陷在單晶樣品中的含量。利用光學聚焦區浮爐成長單晶樣品，並使用x光粉末繞射能譜、感應耦合電漿質譜儀、熱重分析儀及超導量子干涉磁量儀、分析氧缺陷對樣品物性的影響。實驗結果顯示多餘的磁矩是由氧缺陷所提供。