Browsing by Author "Jheng, Jhih-Wun"

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    苯硫酚與苯酚在Ge(100)表面的吸附與熱分解反應
    (2014) 鄭智文; Jheng, Jhih-Wun
    利用程溫脫附質譜(TPD)量測脫附碎片，並以X光光電子能譜(XPS)作為輔助，研究巰基(SH)與羥基(OH)不同取代基於苯環上，並比較苯硫酚與苯酚其吸附及熱分解之反應機構。 苯硫酚於低溫105 K曝露於Ge(100)上，會以斷硫氫鍵鍵結於表面上，在低曝露量下， C6H5S上的苯環以平躺的方式吸附於表面上，於高曝露量時，C6H5S上的苯環以站立的方式吸附於表面，達高曝露量時，出現未分解的化學吸附態與多層覆蓋的物理吸附。 苯硫酚於升溫脫附過程中，C6H5SH、H2、GeS、H2S、C6H6為主要分解產物，575 K時有苯硫酚重組合脫附峰出現，苯環的生成為C6H5S斷碳硫鍵鍵結於表面上，而苯環有兩種不同吸附態，於程溫脫附質譜中看到，表面的氫原子會與自己重組合脫附，或與硫生成H2S脫附。而高溫時產生的硫化鍺以斷Ge-Ge的方式生成。 苯酚吸附與苯硫酚大致相同，但熱分解形式不同，因碳氧鍵穩定不易斷鍵，故熱分解路徑不同，根據文獻所示，氧化鍺與硫化鍺所產生機制相同，應於同一溫度出現，但氧化鍺出現的溫度比文獻所提還高，是因氧化鍺的生成需待碳氧鍵的斷裂。另外，在程溫脫附儀訊號上可看到三次苯酚重組合訊號，我們利用理論計算出的位能配合所做實驗數據共同解釋。