Browsing by Author "Huang Shin Ham"
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Item 先進栓塞材料開發與製程整合(2014) 黃信翰; Huang Shin Ham摘要 在90年代末期,內連結導線部分應用逐漸被銅取代,但是垂直連結的栓塞材料仍就是鎢,主要考量鎢的熱與化學穩定性佳。但在逐漸微縮的元件要求下,傳統以CVD方式沉積的栓塞因阻值增高,衍生的寄生電阻串聯效應,將會嚴重影響元件特性。 在本研究中,我們比較以不同方式(PVD& ALD)製備TiN當作擴散阻絕層(Diffusion Barryier Layer),鎢(W)當垂直栓塞導線。TiN是傳統鎢栓塞使用的擴散阻障層材料。而ALD製程是目前製作極薄、均勻薄膜的理想製程。本研究結合電漿結構改質與雜質摻雜的方式,試圖改變ALD-TiN在製程後的結構,以提高其高溫阻絕擴散能力,並透過Ag/n+ p-Si結構的二極體來觀察高溫漏電流行為,評斷阻絕能力。 整合方面,本實驗以 200nm x 200nm 的Contact Plug Size為主,水平導線採用(Al-Si-Cu),製作接觸鏈(Contact chain)結構,探討不同製程下的垂直栓塞材料(W)之電性,並建立一套栓塞電阻量測結構製程流程(Process Flow)。藉由實驗的結果,探討如何降低整體鎢栓塞電阻值的方法,以及選用不同方式的擴散阻絕層製程以及改善方式,一方面減少填充時的孔洞,另一方面提升擴散阻絕能力,提供給下一世代栓塞製程延伸的選擇。 關鍵字:栓塞、鎢、擴散阻障