Browsing by Author "Chi-Cheng Tsai"
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Item 感光型聚偏二氟乙烯壓電薄膜之微影與應用特性探討(2004) 蔡其成; Chi-Cheng Tsai傳統之陶瓷壓電材料,如鋯鈦酸鉛(PZT)等,必須使用射頻磁控濺鍍法來進行薄膜沈積,或是以溶膠-凝膠法(sol-gel)旋塗後再高溫燒結(650 C-700 C),所產生之製程設備昂貴、薄膜結構製程複雜或高溫燒結會使微元件受到破壞等缺點。然而,在微機電領域製作微小型結構,若材料承受高溫燒結,必會造成材料產生殘留應力過大之現象,使得微小結構遭受破壞、表面破裂等缺點。因此,必須發展新型焦電材料與結合低溫製程,以實現低成本微元件之開發。 高分子壓電薄膜材料聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride, PVDF),以低溫烘烤(< 80 ℃)成貝塔相(β phase)後,再以外加強電場方式將薄膜極化,使其具備焦電與壓電特性。如此一來,薄膜成相不必經過高溫燒結過程,較不易造成殘留應力過大、微結構彎曲變形等問題。壓電材料PVDF本身具有高撓性之優點且屬低溫之製程,使在製作過程中不會產生應力過大現象。 本研究主要可分為兩大部份: 1. 利用添加感光藥劑,進行聚偏二氟乙烯溶液的改質,已開發出具備感光特性之溶液,並且以霍式轉換紅外光譜儀與X-ray粉末繞射儀,確定材料的結晶相。 2. 將可微影之聚偏二氟乙烯壓電材料,配合微機電製程技術,成功地釋放微結構。