Browsing by Author "Chang, Tzu-Wei"

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    利用掃描穿隧顯微鏡探測在二硫化鉬上表面缺陷的電子特性
    (2016) 張子韋; Chang, Tzu-Wei
    在N型半導體，缺陷通常扮演著捕捉電子的角色，因為其表面缺陷的能態大部分落在能隙中，導致導帶電子會掉到缺陷的表面能態裡，也就是電子被捕捉了，所以N型半導體在表面上都是電子空乏的。然而根據文獻指出，在N型半導體中也有些特例如InN，其表面的缺陷能態會提供電子出來，因缺陷的表面態位於導帶之上，導致缺陷的電子就提供到材料表面，所以表面更為導電，造成電子聚集在表面的現象，稱為表面載子累積，此現象進而影響到表面的電導率。由研究指出，在二硫化鉬厚度減少的情況下，電導率上升，雖然在電導值的量測上已經有一些相關的證據，但還是缺乏了一個直接的證據，說明缺陷的能態密度是對表面有影響的。因此，本實驗利用掃描穿隧顯微鏡，直接觀察於表面缺陷的電子特性，並透過機械剝離法，探討缺陷能態密度的變化。本實驗量測結果發現，在靠近導帶的dI/dV曲線特徵峰值，主要由鉬的懸鍵上的未配對電子所貢獻，而另一靠近價帶的dI/dV曲線，較微弱的特徵峰值是由硫缺所貢獻，在機械剝離法後發現，硫缺的能態密度會因為氧氣分子的吸收進而降低能態密度。