Browsing by Author "CHEN, CHUN-FU"

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    以原子層沉積(ALD)製備不同比例及堆疊方式之氧化鉿鋯(HfZrO2)薄膜分析
    (2022) 陳俊甫; CHEN, CHUN-FU
    隨著科技不斷演進，人們對於各種產品功能需求和要求都越來越高，由於SiO2的漏電流和可靠性問題已經接近其物理極限。為了解決這些問題，本研究則採用其中精度最高的薄膜沈積方式，有就是原子層沈積法(Atomic Layer Deposition，ALD) 作為本次的研究主要的製程，並透過不同製程參數以及堆疊方式探討其中的漏電流、活化能、普爾-法蘭克定律。我們運用ALD製程來製作不同沈積比例的HfZrO2薄膜，其主要ALD原子層沈積技術，實驗方式分別為，2循環、4循環、6循環，製備Hf:Zr 1:3、1:1、3:1共96循環的三種比例HZO薄膜，並用濺鍍的方式，沈積Al閘極，厚度為200奈米。使用RTA退火600℃ 持續30秒，我們會藉由改變試片的工作溫度來量測漏電流，並探討不同比例的ALD沈積方式對於電流傳導機制之影響。本研究利用 Al/HfO2/p-Si MIS結構給一定電壓使元件產生漏電流反應的量測方式，取得其電流與電壓之關係，而後利用在不同溫度條件下，根據阿瑞尼斯方程式，經自然對數轉換後，取Ln(J)對溫度倒數(1/T)做圖，取其斜率萃取出活化能 Ea 值，並去分析比較循環數對於活化能 Ea值的影響。關鍵字：薄膜、熱活化能、氧化鉿鋯、氧化層、傳導機制