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    以超快雷射製作石墨烯/二硫化鉬元件結構於氣體檢測
    (2021) 韓同耀; Han, Tong-Yao
    本研究利用超快雷射製程 (Ultrafast laser processing technique)進行製作設計的微型加熱感測元件及其特性探討,同時整合二硫化鉬(Molybdenum disulfide, MoS2)材料,以開發異質結構(Heterostructure)元件於氣體檢測(Gas detection)應用。本研究是採以有限元素法(Finite element method, FEM),在設計的串/並聯電路之微加熱結構元件,進行熱性能和電路的電流密度之預測。在實驗方面,是利用超快雷射直寫技術於石墨烯(Graphene)薄膜,其固定重複率為 300 kHz,在振鏡掃描速度為 300 mm/s及雷射能量密度為 2.19 J/cm2,進行製程路徑次數 2 次後,完成不同寬度的薄膜電極元件製作及其檢測元件特性分析。研究結果顯示:在施加相同電壓條件下,串聯電路結構的微加熱器穩態溫度較低,且穩態溫度受電路形狀的影響較大,其原因是串聯電路結構的電阻會明顯大於並聯電路結構,因此該元件通過的電流較小,產生的焦耳熱也較小。此外,本研究於石墨烯感測元件搭配MoS2溶液,以滴鍍(Drop casting)技術,開發MoS2/石墨烯微型加熱感測元件,並比較石墨烯微型加熱感測元件,進一步進行氣體檢測之靈敏度探討。本研究結果在石墨烯微型加熱感測元件方面,顯示在溫度於92 oC時,該元件偵測氣體濃度於100、300和500 ppm時,氣體響應值(Response)會分別為1.4 %、7.2 %和17.7 %。本研究結果在MoS2/石墨烯微型加熱感測元件方面,顯示在溫度於92 oC時,該元件偵測氣體濃度於100、300和500 ppm時,氣體響應值分會別為1.7 %、4.9 %和12.3 %。因此,本研究證明MoS2/石墨烯微型加熱感測元件具有良好的恢復性,在50 s內該元件的檢測電阻可以恢復至原始電阻。

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