Browsing by Author "陳聖"

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    使用射頻電漿輔助化學束磊晶成長氮化銦磊晶材料於表面氮化處理矽(111)基板之研究
    (2019) 陳聖; CHEN, SHENG
    本研究利用射頻電漿輔助化學束磊晶系統於矽(111)基板上製備氮化矽緩衝層，針對製備緩衝層之電漿氮氣流量比、氮化時間進行研究，探討氮化銦於不同條件之緩衝層生長其結構、結晶性及電子遷移率變化。研究結果顯示，在實驗條件下矽(111)基板表面會產生氮化矽層(SixNy layer)，隨著氮化時間或流量增加，表面會形成β-Si3N4，有助於纎鋅礦結構氮化銦磊晶生長。透過X光繞射分析證實經過表面氮化處理的試片皆能成長氮化銦磊晶。本研究再進行製備氮化氮化銦/氮化矽雙緩衝層於矽(111)基板，並針對氮化銦磊晶薄膜之特性進行探討，研究結果證實，使用雙緩衝層技術之氮化銦磊晶薄膜能提高結晶性及電性，隨著製備氮化矽層時氮氣流量及氮化時間增加，結晶性及電性均有所提升。