Browsing by Author "陳世堯"

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    鐵電鉿基氧化物壓電響應及其電晶體雷射退火
    (2018) 陳世堯; Chen, Shih-Yao
    近年來因科技發展運算處理與記憶體的與日俱增，而VDD降低對於電子產品開發是相當重要的，俱鐵電效應之鉿鋯氧化物（Hafnium-based Oxides）閘極堆疊鐵電場效電晶體（Ferroelectric FET，FE-FET）有機會應用在降低次臨界擺幅（Subthreshold Swing）及記憶體使用，前者使VDD能夠再進一步的降低，後者提升鐵電記憶體殘餘極化（Remnant Polarization）量。 利用壓電響應顯微鏡（Piezoresponse Force Microscopy , PFM）驗證了鉿鋯氧化物(HfZrO2)中存在鐵電電滯曲線和極化引起的殘餘極化。並研究MFM（Metal–Ferroelectric–Metal）在不同下電極厚度的遲滯曲線改變，找出最佳化厚度。鐵電電晶體利用雷射退火使源/汲極活化，提升元件的ON-current，使得元件的運作速度更快。