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    以多準則決策法、技術探勘、主路徑分析、模糊背包問題及模糊能力集合擴展佈局半導體奈米線場效電晶體專利
    (2021) 王亮傑; Wang, Liang Chieh
    自二十世紀中葉以來，半導體科技持續進步，領導廠商持續發展新製 程與元件，以製造更微小、更有效率的晶片。然而面臨物理極限，半導體 元件的微縮技術，已面臨瓶頸，在不久的將來，摩爾定律即將發展至盡頭。 為了延展莫爾定律，奈米線成為最有潛力之元件。奈米線為一維結構的材 料，其特性為長寬比大、電阻低。應用奈米線技術於場效電晶體中，可以 減少功率損失、提升元件效能、微縮尺寸，為延長摩爾定律的重要元件之 一。因此，半導體廠商紛紛研發技術，並且申請專利，以鞏固其競爭優勢。 顯然，奈米線場效電晶體(Nanowire Field-Effect Transistor, NWFET)技術與 專利為半導體廠商之重要無形資產，然而較少研究著墨於奈米線場效電晶 體的專利佈局。因此，本研究擬探討奈米線場效電晶體之專利，跨越此研究缺口。首先，本研究擬確認專利範圍，並透過探勘美國專利商標局(United States Patent and Trademark Office, USPTO)之專利資料庫，擷取相關專利， 其次，利用主路徑分析法(main path analysis)探索奈米線場效電晶體之專利， 建構引用網路中之主要路徑及專利。接著透過決策實驗室分析法(Decision Making Trial and Evaluation Laboratory, DEMATEL)及基於決策實驗室分析 法之網路流程(DEMATEL based Analytic Network Process, DANP)，找出個 別專利間的影響關係和權重值。最後應用模糊背包問題(Fuzzy Knapsack Problem, FKP)演算法推演 25 項關鍵技術後，藉由能力集合擴展(Fuzzy Competence Set Expansion)法，規劃技術開發路徑圖。藉由以上方法，可了 解奈米線技術專利發展過程中的重要技術，並可作為後進廠商佈局專利， 發展研發策略之依據，本研究之實證成果，可作為後進晶圓代工廠商佈局 未來專利之依據，所發展之研究方法，也可為其他產業所用。
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    臺灣地區降雨模擬的動力與統計降尺度的比較與分析
    (2024) 王亮傑; Wang, Liang-Chieh
    過往直接比較動力降尺度與統計降尺度的研究較少，大部分研究進行降尺度比較或評估時，通常是以實際的觀測資料為基準，評估各個降尺度方法。動力降尺度方法藉由趨近真實世界的資料提高氣候模式的解析度，獲得高解析度的氣候推估資料，運算出的結果能呈現不同地理與氣候特徵。統計降尺度方法則利用過往的觀測資料與氣候模式模擬資料，以回歸和統計分析方法建立兩者之間的統計關係。相較於動力降尺度方法，在電腦計算的要求相對較低，方法上也更加簡單；但是統計降尺度模擬的結果沒有辦法呈現物理過程，並且缺乏適合的物理解釋，應用時需要假設未來的氣候特徵在統計上是穩定的；然而近年來氣候變遷影響下，這個統計穩定的假設通常是無法滿足且無法證明。對此本研究以「理想模式」作為實驗架構，使用動力降尺度資料代替降尺度中的觀測資料，驗證統計降尺度方法，並以全球高解析度模式資料作為參考，比較動力與統計降尺度在不同季節、極端降雨之降尺度成效。研究結果顯示統計降尺度在梅雨和夏季容易受到高解析度模式資料影響，與動力降尺度差異較大，而統計降尺度與動力降尺度在冬季較為接近；然而，極端降雨主要集中在梅雨和夏季，對於系統性降雨如颱風、梅雨等，統計降尺度與動力降尺度具有接近表現，但它依然受模式資料影響為主；極端降雨能觀察到冬季的成效比梅雨和夏季高，趨近動力降尺度的比例相比所有天數降低。