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    半導體光子晶體光學性質溫度效應之研究
    (2013) 潘俊宏
    這篇論文有五個章節。第一個章節是介紹光子晶體的基本性質與歷史,第二章節是敘述我們計算光子晶體多層膜結構的理論及方法。第三章節我們要探討一維光子晶體SDPC使用的材料為矽及二氧化矽,在原結構下,SDPC的光子能隙隨著溫度增加而向右偏移,而在第二個結構中,我們參雜入SiO2,光子能隙與缺陷模態都隨著溫度向右偏移,第三個結構中,我們參雜入InSb,光子能隙與缺陷模態都隨著溫度向右偏移,再改變InSb的參雜濃度N’,發現,當參雜濃度N’上升時,產生缺陷模態時的波長有微量減少的趨勢。第四章節我們要探討一維光子晶體MSPC使用的材料為鋁及InSb,在原結構下,顯示第三章中SDPC溫度效應在金屬加入後顯得非常不明顯,再以不同入射角的TE波(S波)與TM波(P波)入射,發現TE波(S波)受入射角影響較TM波(P波)稍大,最後在第五章節是我們的結論。

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