Browsing by Author "張貫宇"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 1 of 1
  • No Thumbnail Available
    Item
    一種增進穿隧場效電晶體性能的新穎電流增強機制研究
    (2014) 張貫宇; Chang, Kuan-Yu
    過去數十年來，金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)在半導體工程中扮演著相當重要的角色，但元件尺寸遵循著摩爾定律的法則微縮至今，亦遭遇到許多困難需要解決。穿隧型場效電晶體 (Tunnel Field Effect Transistor, TFET) 被視為其中一種相當有潛力能取代MOSFET 的元件，由於TFET 能夠擁有低於60 mV/dec 的次臨界擺幅，以及非常小的漏電流，這些特點有利於VD 的微縮，降低能源消耗的問題，因此適合應用在低功率的元件裡。但目前研究文獻均指出，TFET 最大的致命傷在於開狀態的電流值過低，大幅限制了TFET 的發展性。因此本研究利用半導體模擬工具 (Technology Computer Aided Design, TCAD)，設計出一個具有垂直穿隧機制的結構，並探討在n 型與p 型TFET 中，優化元件參數與使用異質接面的方式提升TFET 性能，最後將具有垂直穿隧與側向穿隧機制的結構進行整合。結果顯示擁有大面積的垂直穿隧機制的確能夠有效提升穿隧電流，使用矽鍺與矽所形成的異質接面亦能夠幫助穿隧效應的產生，最後將兩種穿隧機制整合在同一元件上的概念，結果也顯示能夠提升元件的整體開電流，幫助克服TFET 開電流值過小的問題。