Browsing by Author "劉韋宏"

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    記憶體之3D立體控制單元與高介電常數之矽鍺電晶體
    (2009) 劉韋宏; Wei-Hung Liu
    電子產品朝向輕薄短小、高效能發展已成趨勢，高度的系統整合將無可避免；具體積小、整合度高、耗電量低、成本低等特性的立體堆疊晶片（3D IC）將成趨勢。 第二章節的目的在單晶片矽上利用連續成長製程完成適用於 3D 記憶體之switch技術評估與試製，並輔以 TCAD 模擬配合，以利於最佳化設計。在製程驗證方面，目前垂直型多晶矽 p-n diode switch 完成驗證的電性表現，如理想因子 (ideal factor) η約1.2~1.9，電流密度(J)在1.8V時約1.5x102 A/cm2，且 on/off ratio 也達到 ~107 ，已可供記憶體switch使用。 而為能適用於雙極性記憶體 (如RRAM) 的使用，則因其寫入及抹除屬不同極性，故需發展雙向型控制單元，類似雙極性載子電晶體 (BJT) 之n/p/n或p/n/p結構，第三章節考慮採用n/p/n接面之雙極性二極體 ( bi-directional diode )。 第四章研究架方向為氮化鈦 (TiN) 金屬閘極搭配 HfSiOx介電層在不同晶格方向 (crystal orientation) 之N型場效電晶體 (FET) 元件之製作。並以臨界電壓 (threshold voltage, VT) 、次臨界擺幅 (subthreshold swing, S.S.) 、飽和電流 (saturation current, IDsat) 、漏電流 (leakage current) 等作為元件特性評估之依據。